Viðbragðstengd kísilkarbíðflísar

Stutt lýsing:

Hvarfbundið kísilkarbíð, einnig þekkt sem kísilhúðað kísilkarbíð eða SiSiC, er búið til með því að síast inn í þjöppur úr blöndu af SiC og kolefni með fljótandi kísil.Kísillinn hvarfast við kolefnið og myndar meira SiC sem tengir upphaflegu SiC agnirnar, Allur umfram kísill fyllir þær svitaholur sem eftir eru í líkamanum og myndar þétt SiC-Si samsett efni, Íferðin gefur efninu einstaka samsetningu af vélrænni, hitauppstreymi og rafmagni. eignir.

Sendu tölvupóst til okkar

Upplýsingar um vöru

Kostir Reaction Bonded Silicon Carbide

1) Lágur þéttleiki.
2) Tæringarþol.
3) Slitþol.
4) Oxunarþol.
5) Slitþol.
6) Góð hitaáfallsþol (vegna lágs varmaþenslustuðuls og mikillar hitaleiðni).
7) Framúrskarandi styrkur við háan hita.
8) Góð víddarstýring á flóknum formum.

Slitþolnar vörur: Kísilkarbíðplata, kísilkarbíðmúrsteinn, pípufóður, pípukeila, hvirfilbyl osfrv.
Ofnhúsgögn: Plata, geisli, rúlla, brennarastútur, kringlóttur geisli, ferningur geisli, holubjálki. Deigla, sagger o.s.frv.
Aðrir: Brennisteinsstútar
Notkun á viðbragðstengdu kísilkarbíði:
Viðbragðstengt kísilkarbíð hefur reynst frábært efnisval fyrir slitbúnað eins og pípufóðringar, stúta, flæðistýringar og stærri slithluta í námuvinnslu sem og öðrum iðnaði.

Aðalfæribreyta

Eiginleikar	Einingar	SiSiC/RBSIC
Magnþéttleiki (SiC)	V01%	≥85
Magnþéttleiki	g/cm³	3.01
Greinilega porosity	%	＜0.1
Brotstuðull við 20 ℃	Mpa	250
Brotstuðull við 1200 ℃	Mpa	280
Mýktarstuðull við 20 ℃	Gpa	330
Brotþol	Mpa*m1/2	3.3
Varmaleiðni við 1200 ℃	wm^-1.k^-1	45
Hitastækkun við 1200 ℃	a×10^-6/℃	4.5
Hitaáfallsþol við 1200 ℃		Mjög gott
Hitageislunarstuðull		<0,9
Hámarksvinnuhiti	℃	1350

Stærð

hægt að aðlaga í samræmi við kröfur viðskiptavina.

Þjónusta

Við tökum við sérsniðnum pöntunum.
Ef þú vilt vita frekari upplýsingar um vörur, velkomið að hafa samband við okkur og við munum veita þér hentugustu vöruna og bestu þjónustuna!